IRF640PBF
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | IRF640PBF |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $2.01 |
10+ | $1.805 |
100+ | $1.4506 |
500+ | $1.1918 |
1000+ | $0.9875 |
2000+ | $0.9194 |
5000+ | $0.8854 |
10000+ | $0.8545 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 11A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Bulk |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 18A (Tc) |
Grundproduktnummer | IRF640 |
IRF640PBF Einzelheiten PDF [English] | IRF640PBF PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
IR TO-263
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
IRF640NSTRL IOR
18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,
18A, 200V, 0.18OHM, N-CHANNEL,
IR TO-263
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
IRF640 - HEXFET POWER MOSFET
IR D2-PAK
IR TO220
N-CHANNEL POWER MOSFET
VISHAY TO220
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IRF640PBFVishay Siliconix |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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